收藏本站
Si6969BDQ
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 12
R DS(on) ( Ω )
0.030 at V GS = - 4.5 V
0.040 at V GS = - 2.5 V
0.055 at V GS = - 1.8 V
I D (A)
- 4.6
- 3.8
- 3.0
? Halogen-free Option Available
? TrenchFET ? Power MOSFETs
P b -free
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
TSSOP-8
S 1
S 2
D 1
S 1
S 1
G 1
1
2
3
4
Si6969BDQ
8 D 2
7 S 2
6 S 2
5 G 2
G 1
G 2
Top View
Ordering Information: Si6969BDQ-T1
D 1
D 2
Si6969BDQ-T1 -GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
- 12
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 4.6
- 3.8
- 30
- 4.0
- 3.2
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.0
- 0.7
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.14
0.73
- 55 to 150
0.83
0.53
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
88
120
65
110
150
80
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 72017
S-81221-Rev. C, 02-Jun-08
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI6973DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SI6975DQ-T1-E3 MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
SI6993DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
SI7100DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 8V PPAK 1212-8
SI7107DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
SI7110DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
SI7115DN-T1-E3 MOSFET P-CH D-S 150V PPAK 1212-8
SI7120DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
相关代理商/技术参数
SI6969DQ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6969DQ-T1 功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6969DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6969DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W 34mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6973DQ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6973DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.8A 4.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6973DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.8A 4.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6973DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.8A 1.14W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube